可见光通信光源与探测器件原理及应用

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内容提要

前言

第1章 硅衬底LED光源与器件

1.1 硅衬底LED材料的结构与生长

1.1.1 衬底

1.1.2 渐变AlGaN缓冲层

1.1.3 量子阱应变工程

1.1.4 GaN基LED的V形坑

1.2 硅衬底LED芯片的制造与封装

1.2.1 反射镜P型欧姆接触

1.2.2 互补电极

1.2.3 薄膜转移技术

1.2.4 N极性N型GaN的表面粗化

1.2.5 N极性N型GaN上的欧姆接触

1.2.6 钝化

1.3 硅衬底LED器件的性能与特点

1.4 硅衬底LED在光通信中的应用前景

参考文献

第2章 面向可见光通信的OLED和有机发光材料

2.1 OLED发展简介

2.2 有机发光材料的发光原理

2.3 OLED器件结构

2.4 有机发光材料与器件的核心参数

2.5 OLED在可见光通信中的发展

2.6 适合可见光通信的有机发光材料

参考文献

第3章 基于Micro-LED的可见光通信

3.1 Micro-LED的制备

3.1.1 光刻

3.1.2 湿法刻蚀和干法刻蚀

3.1.3 金属欧姆接触的制备

3.1.4 Micro-LED的基本光电特性

3.2 Micro-LED调制带宽

3.3 Micro-LED应用系统

3.3.1 基于CMOS封装的Micro-LED系统

3.3.2 低成本、高密度的二维可见光互联通信系统

3.4 智能Micro-LED系统

3.4.1 多功能Micro-LED芯片

3.4.2 Micro-LED作为探测器的响应特性

3.4.3 Micro-LED双工通信系统

参考文献

第4章 半导体雪崩探测器

4.1 离化碰撞

4.1.1 离化阈值能量

4.1.2 电子、空穴的离化系数

4.1.3 高电场下声子散射

4.2 雪崩探测器器件原理

4.2.1 半导体雪崩探测器简介

4.2.2 雪崩速率方程

4.2.3 双极离化与单极离化

4.2.4 雪崩过剩噪声

4.3 离化碰撞工程

4.3.1 梯度带隙雪崩探测器

4.3.2 超晶格雪崩探测器

4.3.3 隧道雪崩探测器

4.4 常见半导体雪崩探测器

4.4.1 硅衬底雪崩探测器

4.4.2 吸收倍增分离Ge/Si雪崩探测器

4.4.3 InGaAsP基雪崩探测器

参考文献

第5章 新型可见光探测材料与器件

5.1 有机材料与光伏器件

5.2 有机太阳能电池探测器

5.3 有机及钙钛矿光电探测器

5.4 有机太阳能聚光器

参考文献